我国成功研制出三维多层片上电容 可直接使用于AIGPU芯片、高性能处理器等高端芯片

  据湖北江城实验室音讯，该实验室近期在电容要害技能上获得重大打破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度打破每平方毫米1000纳法。该电容可直接使用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研制。现在，有关技能正在展开工艺流片及小批量试产，将在范畴完成规模化使用。电容在电路中的效果，本质上是一个超微缩的“蓄水池”：当芯片电流剧烈动摇时，能敏捷充放电以平抑电压，保证芯片吃上“纯洁且安稳”的电流。电容在算力体系中也被比喻为“电RAM”：HBM是算力的数据缓冲，电容则是算力的能量缓冲。要在GPU瞬时拉满功率时供得上电，有必要依托从纳秒到秒级的多级